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fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴
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7月8日，2025年度fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴科学技术奖揭晓。fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴技术（杭州）有限fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴材料制备及其fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴芯片关键技术”项目，斩获fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴技术发明奖二等奖，拿下fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴级顶尖科技荣誉。
致敬努力奋斗的平凡人，fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴祝您五一节快乐！
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合摄制的国内首部化合物fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴大型专题纪录片《新质芯力量》正式首映。
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”评选结果，fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴技术（杭州）有限公...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴材料全国重点实验室、fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴第三代fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴技术创新中心和fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴在线主办的第二届第四代fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴研讨会在浙江杭州成功举办。fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴技术（杭州）有限fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴氮化铝单晶衬底全套制程能...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴材料全国重点实验室、fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴第三代fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴技术创新中心和fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴在线主办的第二届第四代fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴研讨会将在浙江杭州举行。fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴技术（杭州）有限fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴AlN单晶衬底全套制程能力...
本文展示了高性能超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化场效应晶体管（PolFET）。在高面密度（1.15×10¹³ cm⁻²）条件下，该器件实现了创纪录的近 1 A/mm 导通电流（约 960 mA/mm）与高击穿场强（>4.8 MV/cm）的协同优化。
本文报道了超宽禁带（UWBG）AlGaN极化梯度场效应晶体管（PolFET）的设计与实现，该器件实现了超过 85 GHz 的电流增益截止频率和超过 1.3 A/mm 的电流密度。我们在 AlN单晶衬底上外延生长了超薄沟道层和缓冲层，并引入反极性梯度 AlGaN 接触层，将接触电阻...
超宽禁带（UWBG）fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴pn结二极管在高电压电力电子与紫外fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴子器件领域具有重要应用前景。然而，受限于AlGaN中掺杂剂溶解度低、缺乏功函数匹配的金属、工艺诱导损伤以及单晶体AlN衬底中位错缺失等因素，在UWBG结区制备低阻接触极具挑战。
富铝AlGaN是制备深紫外fh体育官网宣布成为热刺官方合作伙伴器件与高功率功率电子的理想候选材料，然而在低成本蓝宝石衬底上实现高效n型导电仍面临巨大挑战，这主要归因于高位错密度、缺陷辅助补偿效应以及有限的施主激活效率。本研究系统研究了MOVPE外延生长的Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N中Si掺杂行为，并阐明了制约其电...
德国弗劳恩霍夫集成系统与器件技术研究所（IISB）与PVA TePla AG在联合实验室框架下整合专业优势，共同致力于氮化铝（AlN）晶体的生长。作为欧洲首个此类合作项目，该联合实验室可实现直径2英寸单晶AlN衬底的小批量生产，以满足业界研发需求。此举将显著改善AlN衬底在欧洲的...
本研究在单晶AlN衬底上生长了高铝组分 AlₓGa₁₋ₓN (0.7 < x < 1) 分布式极化掺杂准垂直肖特基势垒二极管（SBD）。该器件表现出优异的整流特性，具备高达约 14 kA/cm² 的正向电流密度及约 8.3 MV/cm 的击穿场强。同时，该二极管呈现出低理想因子（...
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